XS
SM
MD
LG
Державний університет телекомунікацій

Адреса:
03110, Україна
м. Київ, вул. Солом'янська, 7
Контактна інформація:

GMR-ефект досліджено для релятивістських електронів

16:55, 23-06-2015

У Інституті хімічної фізики твердих тіл ім. Макса Планка було здійснене відкриття, що у майбутньому зможе значно спростити конструювання електронних компонентів. Вчені встановили, що електричний опір з’єднань ніобію з фосфором під дією зовнішнього магнітного поля здійснює стрибок у 10 тисяч разів (дані було опубліковано в журналі Nature Physics.

Раніше такий величезний магніторезистивний ефект (GMR) спостерігався тільки у матеріалах зі складною багатошаровою структурою. GMR забезпечує сучасним жорстким дискам їх величезну ємність. Фосфід ниобию (NbP) має схожі властивості, але його виробництво менш затратне.

Резка зміна опору NbP в магнітному полі була зумовлена силою Лоренца. Вона призводить до того, що зі зростанням інтенсивності магнітного поля все більша кількість електронів починає рухатися у «неправильному» напрямі, збільшуючи тим самим електричний опір.  

Автори цього відкриття вважають, що цей ефект можна удосконалити за допомогою оптимізації складу та структури матеріалу та впевнені, що воно несе у собі великий потенціал для майбутнього інформаційних технологій.  

Абітурієнту

Спеціалізація: Інтелектуальні технології мікросистемної радіоелектронної техніки

Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.

Спеціалізація: Інтелектуальні технології мікросистемної радіоелектронної техніки

Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.

Переглядів: 3 504