Квантовомеханічний транспортний еффект або так зване від’ємний диференціальний опір (negative differential resistance, NDR), вперше продемонстровано дослідниками чотирьох американських та міжнародних університетів в синтетичному шаруватому матеріалі атомарної товщини при кімнатній температурі. NDR може використовуватися для створення низьковольтних електросхем, які працюють на високих частотах..
У експерименті, описаному в онлайн-журналі Nature Communications від 19 июня, NDR спостерігався при прикладанні напруги до материалу Ван-дер-Ваальса, що складається з шарів дісульфіду молибдена та діселениду молибдена або вольфрама на графеновій підложці.
Отримання NDR у резонансному туннельномі діоді при кімнатній температурі потребувало майже ідеальних інтерфейсів, які автори створили за допомогою методу прямого вирощування, а саме випаровування оксиду молибдена у присутності парів сірки для утворення шару MoS2, и осадження з метал-органічної парової фази — для WSe2 та MoSe2. Вирощування 2D-материалів замість їх відшарування відкриває великі перспективи для розробки масштабних методів виробництва, сумісних з сучасними промисловими технологіями.
Участники досліджень планують продовжити оптимізацію властивостей вертикальних гетероструктур для майбутнього промислового застосування, а також планують створити на цій основі інші базові елементи , у тому числі й транзистори.
Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.
Підготовка за даною спеціалізацією передбачає оволодіння наступними компетенціями: розробка конструкції деталі радіоелектронного апарату (РЕА), схем окремих вузлів та виробів мікроелектронної техніки, конструкції друкованої плати мікрозборки, конструкції плати гібридно-плівкової мікросхеми, конструкції вузла РЕА (вузла на друкованій платі, гібридно-плівкової мікросхеми), конструкції вузла РЕА з виконанням перевірочних розрахунків та корегування конструкції за результатами випробувань, конструкції блоків, частин високих ієрархічних рівнів та закінчених пристроїв РЕА; конструкторський супровід виробництва РЕА; модернізація та уніфікація конструкцій існуючих РЕА.
Вступ 2024
Telegram-бот
Ваш запит успішно надіслано